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IRFR9310TRPBF.
MOSFET de Potencia, Canal P, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR9310TRPBF.
No. Parte Newark26AC0558
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id1.8
Resistencia de Activación Rds(on)7ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia de Activación Rds(on)
7ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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