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MXPQ120A045SE-1GE3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 52A, TO-263
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteMXPQ120A045SE-1GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark11AN6866
Rango de ProductoMaxSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.950 |
| 10+ | $9.650 |
| 25+ | $9.120 |
| 50+ | $8.580 |
| 100+ | $8.050 |
| 250+ | $7.610 |
| 500+ | $7.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.95
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteMXPQ120A045SE-1GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark11AN6866
Rango de ProductoMaxSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id52A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia268W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoMaxSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
52A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
268W
Rango de Producto
MaxSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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