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SI1401EDH-T1-GE3
MOSFET, P CH, -12V, -4A, SOT-363
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark97W2622
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.759 |
| 10+ | $0.526 |
| 25+ | $0.446 |
| 50+ | $0.363 |
| 100+ | $0.313 |
| 500+ | $0.271 |
| 1000+ | $0.239 |
| 2500+ | $0.221 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1401EDH-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark97W2622
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)1.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia2.8W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
1.5V
Disipación de Potencia
2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SI1401EDH-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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