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SI1869DH-T1-E3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.132 ohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1869DH-T1-E3Copiar
No. Parte Newark29X0517
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id1.2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.2
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.132
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.132
Diseño de TransistorSC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1
Disipación de Potencia de Canal P1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
1.2A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.132
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.132
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto