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SI1965DH-T1-GE3
MOSFET, DUAL, P-CH, 12V, 1.3A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1965DH-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0428
Rango de ProductoTrench Series
4,250 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.695 |
| 10+ | $0.542 |
| 25+ | $0.502 |
| 50+ | $0.462 |
| 100+ | $0.422 |
| 250+ | $0.384 |
| 500+ | $0.344 |
| 1000+ | $0.308 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1965DH-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0428
Rango de ProductoTrench Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N12V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.315ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.315ohm
Diseño de TransistorSOT-363
Núm. de Contactos6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.25W
Disipación de Potencia de Canal P1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.315ohm
Núm. de Contactos
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.25W
Rango de Producto
Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.315ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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US ECCN:Unknown
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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