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SI2302CDS-T1-GE3
Diodos, transistores y dispositivos semi
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2302CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo73W9408
Re-reeling (Rollos a medida)40P0795
Cinta adhesiva40P0795
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51,298 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.891 | $4.46 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.46 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.891 |
| 10+ | $0.808 |
| 25+ | $0.744 |
| 50+ | $0.669 |
| 100+ | $0.604 |
| 250+ | $0.530 |
| 500+ | $0.476 |
| 1000+ | $0.395 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.202 |
| 6000+ | $0.192 |
| 12000+ | $0.175 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2302CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo73W9408
Re-reeling (Rollos a medida)40P0795
Cinta adhesiva40P0795
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.9
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.057
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850
Disipación de Potencia710
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.057
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
8V
Disipación de Potencia
710
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SI2302CDS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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