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SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2308BDS-T1-GE3
No. Parte Newark16P3708
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.13ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.156
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd1.09W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTO-236
Disipación de Potencia1.09
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2308BDS-T1-GE3 es un TrenchFET® Power MOSFET de canal N con una temperatura de funcionamiento de 175°C.
- Rg probado 100%
- Probado UIS 100%
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.13ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.09W
Diseño de Transistor
TO-236
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.156
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
1.09
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI2308BDS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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