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SI2333CDS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 7.1 A, 35 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2333CDS-T1-E3
No. Parte Newark88T7691
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id7.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.0285ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0285ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2333CDS-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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