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SI4403CDY-T1-GE3
MOSFET, P CHANNEL, W/D, 20V, 13.4A, SO8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4403CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6290
Re-reeling (Rollos a medida)64T4065RL
Cinta adhesiva64T4065
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.230 | $6.15 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.230 |
| 50+ | $0.770 |
| 100+ | $0.507 |
| 250+ | $0.450 |
| 500+ | $0.393 |
| 1000+ | $0.357 |
| 2500+ | $0.316 |
| 5000+ | $0.313 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.613 |
| 4000+ | $0.565 |
| 6000+ | $0.551 |
| 10000+ | $0.541 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4403CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6290
Re-reeling (Rollos a medida)64T4065RL
Cinta adhesiva64T4065
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id13.4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0155ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
13.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0155ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SI4403CDY-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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