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SI4491EDY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 25.8A, SOIC
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4491EDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark57AJ0443
Rango de ProductoTrenchFET
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id25.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia6.9W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5400µohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
6.9W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto