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SI4532CDY-T1-GE3
MOSFET, NP-CH, 30V, SO8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4532CDY-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0116
Re-reeling (Rollos a medida)78Y9547
Cinta adhesiva78Y9547
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.010 | $5.05 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.05 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.010 |
| 10+ | $0.677 |
| 25+ | $0.602 |
| 50+ | $0.527 |
| 100+ | $0.453 |
| 250+ | $0.452 |
| 500+ | $0.363 |
| 1000+ | $0.317 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.385 |
| 5000+ | $0.377 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4532CDY-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0116
Re-reeling (Rollos a medida)78Y9547
Cinta adhesiva78Y9547
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.038ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.038ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.78W
Disipación de Potencia de Canal P2.78W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.038ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.78W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.038ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SI4532CDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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