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SI4948BEY-T1-E3
MOSFET, DUAL P-CH, -60V, -2.4A, SOIC-8
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4948BEY-T1-E3
No. Parte Newark61AC1936
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.1ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4W
Disipación de Potencia de Canal P1.4W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.1ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.1ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4948BEY-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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