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SI5935CDC-T1-GE3
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -4A, CHIPFET
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI5935CDC-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AC5000RL
Cinta adhesiva01AC5000
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 38 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.890 | $4.45 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.890 |
| 10+ | $0.807 |
| 25+ | $0.742 |
| 50+ | $0.667 |
| 100+ | $0.602 |
| 250+ | $0.529 |
| 500+ | $0.475 |
| 1000+ | $0.395 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI5935CDC-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AC5000RL
Cinta adhesiva01AC5000
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.083ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.083ohm
Diseño de TransistorChipFET
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.083ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.083ohm
Diseño de Transistor
ChipFET
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto