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SI6415DQ-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 6.5A, TSSOP ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI6415DQ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark86AK6307
Rango de ProductoTrench Series
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark86AK6307
Rango de ProductoTrench Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Diseño de TransistorTSSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Diseño de Transistor
TSSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto