Imprimir página
SI7113ADN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7113ADN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78AC6540RL
Cinta adhesiva78AC6540
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 43 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.150 | $1.15 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.150 |
| 50+ | $0.795 |
| 100+ | $0.499 |
| 250+ | $0.427 |
| 500+ | $0.354 |
| 1000+ | $0.301 |
| 2500+ | $0.269 |
| 5000+ | $0.236 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7113ADN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78AC6540RL
Cinta adhesiva78AC6540
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id10.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.132
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia27.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI7113ADN-T1-GE3 es un MOSFET de 100V (D-S) de canal P. Se utiliza en aplicaciones como abrazadera activa en fuentes de alimentación intermedias CD/CD, iluminación LED e interruptor de carga.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
- Tipo de canal P, voltaje de fuente de drenaje de 100V
- Corriente de drenaje continua de 10.8A, fuente de drenaje de 0.11 ohms en resistencia estatal
- Voltaje de prueba 10V Rds
- Voltaje umbral de fuente de puerta de 2.6V máx.
- Disipación de potencia 27.8W
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta +150°C
- Montaje de transistor de montaje en superficie PowerPAK 1212 de 8 pines
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
10.8
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
27.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.132
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para el número de pieza SI7113ADN-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto