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SI7139DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7139DP-T1-GE3
No. Parte Newark69W7221
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7139DP-T1-GE3
No. Parte Newark69W7221
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia de Activación Rds(on)0.0074ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0055
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd48W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia48
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0074ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
48W
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0055
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia
48
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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