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SI7922DN-T1-E3
MOSFET Dual, Canal N, 100 V, 100 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.162 ohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7922DN-T1-E3
No. Parte Newark06J8182
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.162
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.162
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.3
Disipación de Potencia de Canal P1.3
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.162
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.3
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.162
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia de Canal N
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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