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SI8808DB-T2-E1
N-CH MOSFET MFOOT 0.8X0.8 30V 95MOH
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8808DB-T2-E1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9301
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.778 |
| 10+ | $0.690 |
| 25+ | $0.612 |
| 50+ | $0.517 |
| 100+ | $0.442 |
| 250+ | $0.379 |
| 500+ | $0.322 |
| 1000+ | $0.272 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8808DB-T2-E1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9301
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095ohm
Diseño de TransistorMICRO FOOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia900mW
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Diseño de Transistor
MICRO FOOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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