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SI9926CDY-T1-GE3
MOSFET, DUAL, CANAL N, 20V, 8A, NSOIC-8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9926CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6331
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9668RL
Cinta adhesiva50AC9668
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.578 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.070 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $0.882 |
| 250+ | $0.791 |
| 500+ | $0.700 |
| 1000+ | $0.621 |
| 2500+ | $0.568 |
| 5000+ | $0.533 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.578 |
| 7500+ | $0.517 |
| 12500+ | $0.504 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9926CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6331
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9668RL
Cinta adhesiva50AC9668
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.015ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorNSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.015ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.015ohm
Diseño de Transistor
NSOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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