Imprimir página
SIA456DJ-T1-GE3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 2.6A, SC-70, FUL
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA456DJ-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85W0170
Re-reeling (Rollos a medida)61AC1918
Cinta adhesiva61AC1918
Su número de pieza
1,979 En Stock
72,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.120 | $1.12 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.12 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.120 |
| 25+ | $0.819 |
| 50+ | $0.708 |
| 100+ | $0.598 |
| 250+ | $0.587 |
| 500+ | $0.556 |
| 1000+ | $0.520 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.436 |
| 6000+ | $0.428 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA456DJ-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85W0170
Re-reeling (Rollos a medida)61AC1918
Cinta adhesiva61AC1918
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id2.6
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.38
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4
Disipación de Potencia19W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.38
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
19W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SIA456DJ-T1-GE3
2 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto