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SIB4122DK-T1-GE3
N-CH MOSFET, 100V, 5.9A/POWERPAK SC-75-7 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIB4122DK-T1-GE3
No. Parte Newark88AK0126
Rango de ProductoThunderFET Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 31 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.666 |
| 10+ | $0.606 |
| 25+ | $0.561 |
| 50+ | $0.506 |
| 100+ | $0.460 |
| 250+ | $0.407 |
| 500+ | $0.360 |
| 1000+ | $0.303 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.33
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIB4122DK-T1-GE3
No. Parte Newark88AK0126
Rango de ProductoThunderFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id5.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-75
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia12.5W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoThunderFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.9A
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-75
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
12.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
ThunderFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto