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SIB457EDK-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 9A, POWERPAK SC75
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIB457EDK-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN9218
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.966 |
| 50+ | $0.600 |
| 100+ | $0.390 |
| 250+ | $0.345 |
| 500+ | $0.299 |
| 1000+ | $0.270 |
| 2500+ | $0.251 |
| 5000+ | $0.232 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIB457EDK-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN9218
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35mohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC75
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia2.4W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Diseño de Transistor
PowerPAK SC75
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35mohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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