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SIDR626EP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 227A, POWERPAK SO-DC
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR626EP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark86AK6214
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 55 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.550 |
| 9000+ | $1.520 |
| 15000+ | $1.480 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$4,650.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR626EP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark86AK6214
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id227A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1740µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-DC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
227A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-DC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1740µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto