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SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET, CANAL N, 80V, 100A, 150°C, 125W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR680DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark83AK7193
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 56 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.240 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$3,720.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR680DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark83AK7193
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2900µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.4V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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