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SIE882DF-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 60 A, 0.0014 ohm, PolarPAK, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIE882DF-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark35R6190
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0014
Resistencia de Activación Rds(on)0.0014ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd5.2W
Diseño de TransistorPolarPAK
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia5.2
No. de Pines10Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0014
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
10Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0014ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PolarPAK
Disipación de Potencia
5.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto