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SIHFU310-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251 (IPAK), Agujero Pasante
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| 25+ | $0.506 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHFU310-GE3
No. Parte Newark87AJ3371
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.6
Diseño de TransistorTO-251 (IPAK)
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Diseño de Transistor
TO-251 (IPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.6
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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