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SIHG100N65E-GE3
MOSFET, N-CH, 700V, 30A, TO-247AC
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| 50+ | $3.480 |
| 100+ | $3.100 |
| 250+ | $2.900 |
| 500+ | $2.700 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHG100N65E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark51AM8217
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia208W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
208W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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