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SIHH080N60E-T1-GE3
MOSFET, CANAL N, 600V, 32A, POWERPAK
8,022 En Stock
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| 250+ | $5.260 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHH080N60E-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark31AJ7239
Rango de ProductoE
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id32A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorPowerPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia184W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
184W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
E
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
32A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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