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SIHH24N65E-T1-GE3
MOSFET CANAL N 650V/23A, POWERPAK 8 X 8
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHH24N65E-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark80AK5266
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 8 x 8
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia202W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Diseño de Transistor
PowerPAK 8 x 8
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
202W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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