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SIHL026N65E-GE3
MOSFET, N-CH, 700V, 88A, TO-247AD
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.920 |
| 10+ | $12.200 |
| 25+ | $11.160 |
| 50+ | $10.120 |
| 100+ | $9.080 |
| 250+ | $8.900 |
| 500+ | $8.720 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.92
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHL026N65E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark51AM4555
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700V
Intensidad Drenador Continua Id88A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Diseño de TransistorTO-247AD
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia179W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
88A
Diseño de Transistor
TO-247AD
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
179W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto