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SIJH5800E-T1-GE3
MOSFET CANAL N 80V/302A, POWERPAK 8 X 8L
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJH5800E-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark80AK5268
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 55 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.940 |
| 10+ | $7.140 |
| 25+ | $6.610 |
| 50+ | $6.090 |
| 100+ | $5.550 |
| 250+ | $5.470 |
| 500+ | $5.380 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.94
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJH5800E-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark80AK5268
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id302A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1350µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 8 x 8L
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia333W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
302A
Diseño de Transistor
PowerPAK 8 x 8L
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
333W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1350µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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