Imprimir página
SIR5211DP-T1-GE3
MOSFET CANAL P, 20V/105A POWERPAK SO-8S
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR5211DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79AK7538RL
Cinta adhesiva79AK7538
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Su número de pieza
3,720 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.670 | $1.67 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.67 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.670 |
| 50+ | $1.060 |
| 100+ | $0.711 |
| 250+ | $0.636 |
| 500+ | $0.560 |
| 1000+ | $0.511 |
| 2500+ | $0.480 |
| 5000+ | $0.449 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR5211DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79AK7538RL
Cinta adhesiva79AK7538
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id105A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3200µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia56.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
105A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
56.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto