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SIR836DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 21A, POWERPAK SO
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5,960 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.490 | $1.49 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 50+ | $0.845 |
| 100+ | $0.637 |
| 250+ | $0.596 |
| 500+ | $0.553 |
| 1000+ | $0.516 |
| 2500+ | $0.491 |
| 5000+ | $0.465 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR836DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0405RL
Cinta adhesiva57AJ0405
Rango de ProductoTrench
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id21A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia15.6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
21A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
15.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
Trench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SIR836DP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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