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SIS410DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark55R1905
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.990 |
| 10+ | $1.590 |
| 25+ | $1.480 |
| 50+ | $1.360 |
| 100+ | $1.230 |
| 500+ | $1.110 |
| 1000+ | $0.982 |
| 2500+ | $0.923 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.99
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS410DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark55R1905
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia5.2W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4800µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
5.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SIS410DN-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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