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SISS26LDN-T1-BE3
MOSFET, CAN N, 60V, 81.2A, POWERPAK1212S
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS26LDN-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark18AM6888
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.930 |
| 10+ | $1.840 |
| 25+ | $1.690 |
| 50+ | $1.540 |
| 100+ | $1.420 |
| 250+ | $1.230 |
| 500+ | $1.090 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS26LDN-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark18AM6888
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id81.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4300µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia57W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
81.2A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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