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SISS5708DN-T1-BE3
MOSFET, N-CH, 150V, 33.8A, POWERPAK 1212
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS5708DN-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark97AK4718
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $2.610 |
| 10+ | $1.910 |
| 25+ | $1.710 |
| 50+ | $1.510 |
| 100+ | $1.310 |
| 250+ | $1.190 |
| 500+ | $1.030 |
| 1000+ | $0.847 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS5708DN-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark97AK4718
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id33.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia65.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
33.8A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.023ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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