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SIZ320DT-T1-GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 25V, 40A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ320DT-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark80AK5277
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark80AK5277
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N40A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3530µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N31W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
40A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3530µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
31W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto