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SIZF4412DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 77.1A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF4412DT-T1-GE3
No. Parte Newark22AM2335
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
5,985 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.090 |
| 10+ | $2.010 |
| 25+ | $1.850 |
| 50+ | $1.680 |
| 100+ | $1.510 |
| 250+ | $1.320 |
| 500+ | $1.120 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.09
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF4412DT-T1-GE3
No. Parte Newark22AM2335
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N77.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0053ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR 3 x 3FS
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia de Canal N56.8W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
12Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
77.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0053ohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR 3 x 3FS
Disipación de Potencia de Canal N
56.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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