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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF660LDT-T1-GE3
No. Parte Newark22AM2337
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
3,000 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $3.720 |
10+ | $3.560 |
25+ | $3.280 |
50+ | $2.960 |
100+ | $2.650 |
250+ | $2.300 |
500+ | $1.930 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.72
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF660LDT-T1-GE3
No. Parte Newark22AM2337
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N110A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2600µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR 6 x 5FS
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N62.5W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
110A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2600µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR 6 x 5FS
Disipación de Potencia de Canal N
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto