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SIZF916DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 60A, POWERPAIR
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF916DT-T1-GE3
No. Parte Newark81AC2801
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 34 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.420 |
| 10+ | $1.550 |
| 25+ | $1.390 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $1.050 |
| 250+ | $0.973 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.42
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF916DT-T1-GE3
No. Parte Newark81AC2801
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente900µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente900µohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N60W
Disipación de Potencia de Canal P60W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
60A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
900µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
60W
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
900µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto