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SQ1912EH-T1_GE3
DUAL N-CHANNEL 20-V D-S 175C MOSFET
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ1912EH-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark11AN9578
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 25+ | $0.660 |
| 50+ | $0.592 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ1912EH-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark11AN9578
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N800mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
800mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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