Imprimir página
SQ3985EV-T1_GE3
P-CHANNEL 20-V D-S 175C MOSFET
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ3985EV-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark11AN9585
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
3,000 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.200 |
| 50+ | $0.761 |
| 100+ | $0.508 |
| 250+ | $0.453 |
| 500+ | $0.398 |
| 1000+ | $0.363 |
| 2500+ | $0.341 |
| 5000+ | $0.318 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.20
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ3985EV-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark11AN9585
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalDual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.24ohm
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P3W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.24ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto