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SQ4284EY-T1_GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4284EY-T1_GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0730
Cinta adhesiva57AJ0730
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.530 | $2.53 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.53 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.530 |
| 10+ | $1.650 |
| 25+ | $1.480 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $1.030 |
| 500+ | $1.030 |
| 1000+ | $1.030 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4284EY-T1_GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0730
Cinta adhesiva57AJ0730
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0112ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0112ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.9W
Disipación de Potencia de Canal P3.9W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0112ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.9W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0112ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.9W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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