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SQ4917EY-T1_GE3
MOSFET, CANAL P, 60V, 8A, 175°C, 5W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4917EY-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6408
Re-reeling (Rollos a medida)75AH9256RL
Cinta adhesiva75AH9256
Rango de ProductoTrenchFET Series
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88 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $1.090 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.09 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.090 |
| 50+ | $1.820 |
| 100+ | $1.660 |
| 250+ | $1.540 |
| 500+ | $1.330 |
| 1000+ | $1.210 |
| 2500+ | $1.080 |
| 5000+ | $1.040 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.090 |
| 7500+ | $1.050 |
| 12500+ | $0.978 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4917EY-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6408
Re-reeling (Rollos a medida)75AH9256RL
Cinta adhesiva75AH9256
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N5W
Disipación de Potencia de Canal P5W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.04ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
5W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
5W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto