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SQ4946CEY-T1_BE3
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 7A, SOIC
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4946CEY-T1_BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)59AM5367RL
Cinta adhesiva59AM5367
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 31 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.272 | $1.36 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.272 |
| 50+ | $0.209 |
| 100+ | $0.144 |
| 250+ | $0.120 |
| 500+ | $0.101 |
| 1000+ | $0.081 |
| 2500+ | $0.068 |
| 5000+ | $0.057 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4946CEY-T1_BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)59AM5367RL
Cinta adhesiva59AM5367
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N4W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
4W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto