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SQ4949EY-T1_GE3
AEQC101 QUALIFIED DUAL N-CHANNEL 60
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark11AN9600
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.780 |
| 10+ | $2.670 |
| 25+ | $2.480 |
| 50+ | $2.270 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4949EY-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark11AN9600
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalDual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.051ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.051ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.3W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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