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SQJ181ELP-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 80V, 128A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ181ELP-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark51AM4733
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.460 |
| 10+ | $2.360 |
| 25+ | $2.190 |
| 50+ | $2.010 |
| 100+ | $1.830 |
| 250+ | $1.630 |
| 500+ | $1.410 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.46
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ181ELP-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark51AM4733
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id128A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0138ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia468W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
128A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
468W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0138ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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