Imprimir página
SQJ960EP-T1_GE3
DUAL N-CH MOSFET 60V PPAK SO-8 AECQ101
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ960EP-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark11AN9559
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
3,000 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.120 |
| 50+ | $2.050 |
| 100+ | $1.440 |
| 250+ | $1.320 |
| 500+ | $1.190 |
| 1000+ | $1.140 |
| 2500+ | $1.110 |
| 5000+ | $1.070 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.12
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ960EP-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark11AN9559
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.03ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N34W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.03ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
34W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto