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SQM100P10-19L_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQM100P10-19L_GE3
No. Parte Newark20AC4049
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.480 |
| 10+ | $3.210 |
| 25+ | $2.890 |
| 50+ | $2.580 |
| 100+ | $2.260 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQM100P10-19L_GE3
No. Parte Newark20AC4049
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id93
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
93
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SQM100P10-19L_GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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