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SST201-T1-E3
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 1 mA, -1.5 V, TO-236, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSST201-T1-E3Copiar
No. Parte Newark35K5931
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-40V
Voltaje de Ruptura Vbr-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula200µA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero1mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-1.5V
Diseño de TransistorTO-236
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
200µA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-1.5V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Ruptura Vbr
-40V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
1mA
Diseño de Transistor
TO-236
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto